發(fā)布首款晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona?

刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺全球出貨超5000臺

中微公司20周年盛會華章暨臨港基地落成慶典

發(fā)布新產(chǎn)品Preforma Uniflex? HW以及Preforma Uniflex? AW

第3000臺CCP刻蝕設(shè)備順利付運

第500臺Primo nanova?設(shè)備順利付運

中微半導(dǎo)體設(shè)備(廣州)有限公司開業(yè)慶典

中微公司南昌新廠落成儀式隆重舉行

發(fā)布用于12英寸薄膜沉積設(shè)備Preforma Uniflex?CW

第500臺MOCVD設(shè)備順利付運

發(fā)布用于氮化鎵功率器件生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備Prismo PD5?

第2000個CCP刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺順利付運

8英寸ICP刻蝕設(shè)備研發(fā)成功

第1500個CCP刻蝕設(shè)備反應(yīng)臺順利付運

中微完成再融資發(fā)行，共募資82億元

發(fā)布用于高性能Mini-LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備Prismo UniMax?

首臺8英寸CCP刻蝕設(shè)備Primo AD-RIE 200?順利付運

中微半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)化項目簽約落戶上海自貿(mào)試驗區(qū)臨港新片區(qū)“東方芯港”集成電路綜合性產(chǎn)業(yè)基地

發(fā)布用于深紫外LED量產(chǎn)的MOCVD設(shè)備Prismo HiT3?

成為科創(chuàng)板首批上市公司之一

中微在美國VLSIresearch舉辦的全球客戶滿意度調(diào)查中連續(xù)排名前列，綜合評分全球第三，是五個被評為五星級企業(yè)之一

完成股份公司整體變更

中微在美國VLSIresearch舉辦的全球客戶滿意度調(diào)查中榮登上榜，在全球晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商中排名第三，是唯一一家上榜的中國本土半導(dǎo)體設(shè)備公司

中微第100臺MOCVD Prismo A7?反應(yīng)腔付運里程碑

中微刻蝕設(shè)備進入國際先進7納米生產(chǎn)線

首臺雙反應(yīng)臺ICP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功

首臺單反應(yīng)臺ICP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功，并運往國內(nèi)客戶

中微7納米介質(zhì)刻蝕設(shè)備研制成功

首臺第二代MOCVD設(shè)備產(chǎn)品研制成功，并運往國內(nèi)客戶

首臺VOC設(shè)備產(chǎn)品研制成功，并運往國內(nèi)客戶

中微14納米介質(zhì)刻蝕設(shè)備研制成功

中微、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金和蘇州聚源東方完成對拓荊投資

中微反應(yīng)臺交付量突破400臺

由于中微等離子體刻蝕機的成功研發(fā)和量產(chǎn)，美國商務(wù)部取消了等離子體刻蝕機對中國的出口控制

《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》發(fā)布后，中微成為第一家“大基金”投資的企業(yè)

中微22納米介質(zhì)刻蝕設(shè)備研制成功

首臺MOCVD設(shè)備產(chǎn)品研制成功，并運往國內(nèi)客戶

二期新廠房22,000平方米落成啟用

中微45納米介質(zhì)刻蝕設(shè)備研制成功

首臺TSV/MEMS/Dicing刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功，并運往客戶

中微公司入選“02專項”首批項目承擔(dān)單位

首臺CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制成功，并運往國內(nèi)客戶

一期新廠房6,500平方米落成啟用

在張江高科技園區(qū)啟動運營